9 月 9 日,工信部印发《首台(套)严重技术配备推广应用辅导目录(2024年版)》,其间在电子专用配备目录下,集成电路出产配备包含氟化氩GKJ,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。
极点财经柯友浪提示我们:工信部文件的发布,对国产代替是严重利好。集成电路出产配备章节列示了氟化氪(KrF)光刻机、氟化氩(ArF)光刻机两项,意味着国产 KrF、ArF 光刻机已完结首台出产、进入推广应用阶段。
工信部列示的国产 ArF 光刻机对应制程≤65nm,估计为干式 DUV 光刻机。依据工信部文件所示的中心技术指标,该 ArF 光刻机分辨率≤65nm,即对应单次曝光要害尺度≤65nm(通俗称即为制程≤65nm),估计为数值孔径(NA)比较来说较低的干式 ArF 光刻机。2018 年 3 月上海微电子的干式 ArF 光刻机 SSA600 经过检验,SSA600 最高可满意 12 寸线nm 光刻工艺需求,工信部列示的 ArF 光刻机与 SSA600 均为干式+ArF 光源,但制程更先进,估计因数值孔径有所增加、但仍有较大提高空间。
工信部列示的国产 ArF 光刻机套刻精度≤8nm,尚有提高空间。依据工信部文件所示的中心技术指标,该 ArF 光刻机套刻精度≤8nm,作为对标,当时 ASML 出产的干式ArF 光刻机主力机型 NXT:1470,其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。套刻精度即屡次光刻的图画层之间的对齐精度,多重曝光工艺对套刻精度的要求更高,估计工信部列示的 ArF 光刻机需要提高套刻精度才干满意多重曝光工艺。
怎么看待工信部文件的影响呢?柯教师以为,国产光刻机及光刻工艺技术继续发展,官方发表中心设备发展提振商场决心,国产光刻机相关产业链获益,国内晶圆厂扩产自主可控可期,国产半导体设备全体获益。
相关细分赛道整理如下:1)国产光刻机相关标的:茂莱光学,波长光电,炬光科技,福晶科技;2)设备公司:中微公司(刻蚀、薄膜堆积等),北方华创(薄膜堆积、刻蚀、整理洗刷设备、氧化炉等),中科飞测、精测电子(前道检丈量测设备),拓荆科技(薄膜堆积、键合设备等),芯源微(涂胶显影、整理洗刷设备等)。
极点财经首席投顾,荣登纳斯达克年代广场大屏,新浪金牌理财师,曾任较大规划的阳光私募基金司理,曾受邀参与LME亚洲年会,具有十余年商场经历。以直播、视频、专栏文章等多种形式继续和广阔出资者共享专业见地。
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